中国科学技术大学张宏俊研究员受邀来我校做学术报告
中国科学技术大学张宏俊研究员受邀来我校做学术报告

7月16日下午,中国科学技术大学微尺度国家研究中心张宏俊研究员受邀到中南民族大学化学与材料科学学院交流访问,并为师生作了题为《正电子湮没谱学技术发展及其高分子材料表征应用》的学术报告。会议由中南民族大学科学研究发展院院长张道洪教授主持。

正电子是携带电荷和自旋的主动搜寻式探针,在材料内会被各种缺陷或孔结构捕获,因此可以高灵敏度地识别电子性质发生变化的各种微结构。中国科学技术大学粒子束交叉应用实验室已从事正电子湮没谱学研究四十多年,本次报告中,张宏俊研究员介绍了正电子湮没谱学的发展历程及其在材料学微结构研究方面的应用,具体内容包括:(1)晶体的原子级(亚纳米级)缺陷结构,包括缺陷的类型、尺寸、浓度(空位浓度可探测极限低至0.1 ppm)、以及化学环境。(2)多孔材料(包括封闭孔和开放孔)的孔结构,包括平均孔径、孔径分布、孔密度、孔壁最外原子层的化学环境。(3)高分子的自由体积信息,包括自由体积平均尺寸、尺寸分布、自由体积分数、以及化学环境。(4)微结构随深度(从最外原子层到几微米)的分布。张宏俊研究员的报告深入浅出,生动有趣,引起了在座老师及同学们的浓厚兴趣,多名师生现场踊跃提问与张宏俊老师进行了深入的交流。

张宏俊研究员2011年于武汉大学获得理学博士学位。2012-2015年,在日本原子力研究开发机构担任博士研究员。2015-2018年,在筑波大学担任研究员。2018年起,在中国科学技术大学物理学院近代物理系先后担任特任研究员、研究员。2018年起,担任中国核物理学会正电子谱学专业委员会委员。2021年获得中国核物理学会第一届“赵忠尧青年正电子科学家奖”。当前主要研究兴趣为(1)正电子湮没谱学及其应用(宽禁带半导体、高分子分离膜等);(2)宇宙线缪子成像技术及其应用。已申请发明专利14项,其中4项获得授权。已发表一百多篇学术论文,其中以第一作者/通讯作者署名在Nature系列期刊、PRL、PRB、JACS、Angew、Adv. Mater.上共发表十余篇。


作者:张俊珩   责编:王立   审核:祁帆    发布:张朝冲    发布时间:2025-07-20