根据学校相关规定，现对发明专利“一种CdS@Ti3C2 MXene-MoS2三元复合催化剂的制备方法和应用”等专利权转让相关事项公示：

一、成果名称及简介

发明专利一：一种CdS@Ti3C2 MXene-MoS2三元复合催化剂的制备方法和应用

发明人：李覃，伍超，黄蔚欣，刘焕敏，吕康乐，黄涛

专利号：ZL202310230902.3

专利权人：中南民族大学

简介：本发明涉及催化剂制备技术领域，具体涉及一种CdS@Ti3C2 MXeneMoS2三元复合催化剂及其制备方法和应用。通过原位生长法成功地制备了具有紧密接触界面的CdS、MoS2和Ti3C2 MXene三元复合材料，该复合材料表现出优异的光催化产氢活性和耐光腐蚀能力。实验表征和密度泛函理论(DFT)计算都很好地证明了CdS的光生空穴和电子可以分别及时迁移到Ti3C2和MoS2上。实验结果表明，优化后的样品产氢速率可达14.88 mmol·h1·g1，使用寿命可达78 h，且复合材料在光催化反应过程中保持了完整的组分与结构。本发明提出了Ti3C2 MXene和MoS2作为氧化还原双助催化剂对CdS的光催化性能和耐久性的协同作用，可以预期这将显著提高CdS的商业可用性，甚至促进其在工业中的应用。

发明专利二：一种碳层桥接的Au-C/TiO2复合光催化剂的制备方法和应用

发明人：李覃，刘焕敏，伍超，吕康乐，黄涛

专利号：ZL202310959363.7

专利权人：中南民族大学

简介：本发明涉及催化剂制备技术领域，具体涉及一种碳层桥接的AuC/TiO2复合光催化剂的制备方法和应用。通过煅烧法成功制备了具有紧密接触界面的碳层（C）、Au和TiO2三元复合材料，该复合材料表现出优异的光催化产氢活性和光稳定性。实验结果表明，优化后的样品产氢速率可达1473μmol·h1·g1，且经历24 h的循环活性测试后仍保持较高的活性。本发明提出了引入C层延长TiO2半导体与Au之间的距离，减少了光生电子和空穴发生复合，从而确保了更多的电子参与光催化产氢反应。本发明的技术方案解决了Au/TiO2体系电子和空穴聚集中心距离过近的问题，可以预期这将显著提高TiO2的商业可用性，甚至促进其在工业中的应用。

二、拟交易价格/是否有关联关系

协议转让：4万元（2万/项）

是否有关联关系：否

三、价格形成过程

经全体发明人同意，并与安微领航者科技创新发展有限公司协商，双方同意该成果以4万元转让。

特此公示，公示期15日，自2026年3月11日起至2026年3月25日止。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我处反映。

联系人：邵老师 张老师

联系电话：027-67841106

技术转移中心

2026年3月11日